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应用材料申请用于半导体制造的多流气体回路专利, 实现气体沿多个流动水平交替喷射
发布日期:2026-07-13 07:14    点击次数:99

国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“用于半导体制造的多流气体回路、腔室配件、处理腔室、和相关设备和方法”的专利,公开号CN122249584A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本公开内容的实施例涉及适用于半导体制造的多流气体回路、腔室配件、处理腔室、和相关设备和方法。在一个或多个实施例中,处理腔室包括腔室主体、热源、和与腔室主体流体连通的气体回路。气体回路包括第一流量控制器和与第一流量控制器流体连通的第一组阀。第一组阀与第一组喷射通路流体连通。气体回路包括第二流量控制器和与第二流量控制器流体连通的第二组阀。第二组阀与第二组喷射通路流体连通。第二组喷射通路与第一组喷射通路沿着多个流动水平相对于彼此进行交替。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯



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